| 型号： | SPN02N60C3 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Infineon Technologies | 描述： | MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223 |
详细参数 |
数值 |
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| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| SPN02N60C3 PDF |  |
| 产品培训模块 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters |
| 产品变化通告 | Product Discontinuation 18/Dec/2009 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 系列 | CoolMOS™ |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 400mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 2.5 欧姆 @ 1.1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3.9V @ 80µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 200pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 1.8W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装 | PG-SOT223-4 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | SP000101878 SPN02N60C3XT |